ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2SK1317-E
Datasheet下载- 型号： 2SK1317-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK1317-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK1317-E价格参考￥询价-￥询价。RENESAS ELECTRONICS2SK1317-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P。您可以下载2SK1317-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK1317-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK1317-E是由Renesas Electronics America生产的一款单通道FET（场效应晶体管），具体为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于高频、高功率应用场景，特别是在射频（RF）和微波领域。以下是其主要应用场景： 1. 射频放大器 2SK1317-E常用于射频放大器中，尤其是在高频段（如VHF、UHF甚至更高频率）。它能够提供较高的增益和较低的噪声系数，适用于通信设备中的信号放大，如无线电发射机、接收机以及卫星通信系统。 2. 微波功率放大器 该器件在微波频段（如L、S、C等频段）也有广泛应用，特别是在需要高功率输出的场景下。它可以用于雷达系统、微波链路、无线基站等设备中，确保信号的稳定传输和放大。 3. 工业加热与焊接 2SK1317-E还可以应用于工业加热和焊接设备中，特别是在需要精确控制功率输出的场合。它能够承受较大的电流和电压波动，确保设备的稳定运行。 4. 医疗设备 在医疗设备中，尤其是涉及高频或微波治疗的设备（如物理治疗仪、肿瘤消融设备等），2SK1317-E可以用于功率放大和控制，确保能量的精确传递。 5. 测试与测量仪器 该器件也广泛应用于各种测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等。它能够提供稳定的高频信号源，帮助工程师进行精确的测量和调试。 6. 军事与航空航天 在军事和航空航天领域，2SK1317-E因其出色的性能和可靠性，被用于各种通信设备、导航系统、电子对抗设备等，确保在极端环境下仍能正常工作。 总之，2SK1317-E凭借其高频特性、高功率处理能力和稳定性，成为众多高性能电子设备中的关键元件，尤其适合需要高效、可靠信号放大的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK1317-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 990pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 欧姆 @ 2A， 15V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
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