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  • 型号: 2SD2704KT146
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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2SD2704KT146产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2704KT146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2704KT146价格参考。ROHM Semiconductor2SD2704KT146封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 300mA 35MHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SD2704KT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2704KT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SD2704KT146 是一种 NPN 型硅晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路中。这种晶体管的主要应用场景包括信号放大、开关控制、电源管理等。以下是其具体应用的详细说明:

 1. 信号放大
   2SD2704KT146 可用于音频放大器、射频(RF)放大器等场景。它能够将微弱的输入信号放大到足够驱动扬声器或其他负载的强度。在音频设备中,该晶体管可以作为前置放大器或功率放大器的一部分,提升音质和输出功率。

 2. 开关控制
   在数字电路和控制系统中,2SD2704KT146 可以用作开关元件。通过控制基极电流,晶体管可以在导通和截止状态之间切换,从而实现对负载(如LED、继电器、电机等)的开关控制。这种应用常见于家用电器、工业自动化设备和汽车电子系统中。

 3. 电源管理
   该晶体管可用于稳压电源、线性电源和开关电源中。它可以作为调整管,通过调节集电极电流来维持输出电压的稳定。此外,在一些低功耗设计中,2SD2704KT146 可以用于电池管理电路,帮助延长电池寿命。

 4. 脉宽调制(PWM)
   在PWM控制电路中,2SD2704KT146 可以用于调节输出功率。通过改变基极输入信号的占空比,晶体管可以快速开关,从而控制负载的平均功率。这种技术常用于LED调光、电机速度控制和加热元件的温度调节。

 5. 传感器接口
   在传感器接口电路中,2SD2704KT146 可以用于信号调理。例如,它可以放大来自温度传感器、压力传感器等的微弱信号,使其更适合后续处理或传输。这在智能家居、医疗设备和工业监控系统中有广泛应用。

 6. 通信设备
   2SD2704KT146 还可用于通信设备中的射频前端模块,进行信号的放大和调制解调。它能够在高频段保持良好的性能,适用于无线通信、蓝牙模块和其他短距离无线传输设备。

总之,2SD2704KT146 晶体管凭借其高增益、低噪声和稳定的特性,成为多种电子应用中的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 20V 300MA SOT23-3两极晶体管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2704KT146-

数据手册

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产品型号

2SD2704KT146

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 3mA,30mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

820 @ 4ma,2V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SMT3

其它名称

2SD2704KT146DKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

25 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

35 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

0.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

820

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

50 mV

集电极连续电流

0.3 A

频率-跃迁

35MHz

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