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- 型号： 2SD2351T106V
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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2SD2351T106V产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2351T106V由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2351T106V价格参考。ROHM Semiconductor2SD2351T106V封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载2SD2351T106V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD2351T106V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50V 150MA SOT-323两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2351T106V- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2351T106V |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 820 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | 2SD2351T106VCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 300nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 820 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 820 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
