ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SD2212T100
Datasheet下载- 型号： 2SD2212T100
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2212T100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2212T100价格参考。ROHM Semiconductor2SD2212T100封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 60V 2A 80MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SD2212T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD2212T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD2212T100 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的单个双极结型晶体管（BJT）。该型号晶体管主要应用于需要高性能、高可靠性的电路中，特别适合于高频和大功率应用。以下是其主要应用场景： 1. 功率放大器 2SD2212T100 可用于音频功率放大器中，特别是在要求高保真度和低失真的场合。它能够提供稳定的电流增益，确保信号在放大过程中不失真，适用于家庭音响、专业音频设备等。 2. 开关电源 在开关电源中，2SD2212T100 可以作为开关元件使用，帮助实现高效的电压转换。它能够在高频条件下工作，减少能量损失，提高电源的整体效率，适用于工业控制、通信设备等领域。 3. 电机驱动 该晶体管可以用于驱动中小型电机，特别是在需要精确控制电流和速度的应用中。例如，它可以用于机器人、自动化设备中的电机控制系统，确保电机运行平稳、响应迅速。 4. 射频（RF）电路 2SD2212T100 具有良好的高频特性，适用于射频电路中的信号放大和调制解调。它可以在无线通信设备、雷达系统等高频应用中发挥重要作用，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 保护电路 在一些需要过流保护或短路保护的电路中，2SD2212T100 可以用作保护元件。通过检测电流的变化，及时切断电路，防止损坏其他关键组件，适用于电源管理、电池管理系统等。 6. 脉宽调制（PWM）控制器 在PWM控制电路中，2SD2212T100 可以用于调节输出电压或电流的占空比，广泛应用于LED驱动、直流电机调速等领域。它能够快速响应PWM信号，确保输出稳定且高效。 总的来说，2SD2212T100 晶体管凭借其优异的电气性能和稳定性，广泛应用于各种需要高性能、高可靠性的电子设备中，尤其在高频、大功率和精密控制领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 60V 2A SOT-89达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ROHM Semiconductor 2SD2212T100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2212T100 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 1mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 1A，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SD2212T100DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 1 uA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 70 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 70 V |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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