图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: 2SD2143TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

2SD2143TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2143TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2143TL价格参考¥1.49-¥2.73。ROHM Semiconductor2SD2143TL封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 60V 2A 10W 表面贴装 CPT3。您可以下载2SD2143TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2143TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL NPN 60V 2A SOT-428达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ROHM Semiconductor 2SD2143TL-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

2SD2143TL

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 1mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 1A,2V

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

CPT3

其它名称

2SD2143TLCT

功率-最大值

10W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最大集电极截止电流

1 uA

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

1000

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

70 V

集电极—基极电压VCBO

70 V

频率-跃迁

-

2SD2143TL 相关产品

JANTX2N2484

品牌:Microsemi Corporation

价格:

NSV1C300ET4G

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SA1586-GR,LF

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

2N4126_S00Z

品牌:ON Semiconductor

价格:

MPS2907ARL1

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SA1386

品牌:Sanken

价格:

ZXTN649FTA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

TIP115

品牌:Central Semiconductor Corp

价格: