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  • 型号: 2SD1834T100
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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2SD1834T100产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1834T100由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1834T100价格参考¥2.14-¥4.00。ROHM Semiconductor2SD1834T100封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 60V 1A 150MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SD1834T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1834T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的2SD1834T100是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其应用场景主要集中在需要高性能、高可靠性和高效能的电路设计中,具体应用领域如下:

1. 音频放大器:该型号的晶体管适用于音频信号放大,尤其是在低失真和高保真度要求的场景中,例如家用音响设备、汽车音响系统等。

2. 功率放大器:2SD1834T100可以用于功率放大器的设计,能够处理较高的电流和电压,适合工业控制设备、通信设备以及广播系统中的功率输出级。

3. 开关电路:在需要快速开关响应的应用中,这款晶体管可以作为开关元件使用,例如电源管理模块、电机驱动电路等。

4. 射频(RF)应用:由于其优良的频率特性和增益性能,2SD1834T100也可用于射频信号处理,如无线通信设备、无线电收发器等。

5. 工业自动化:在工业自动化领域,该晶体管可用于传感器信号放大、控制信号传输以及其他精密控制任务。

6. 消费电子产品:包括电视、DVD播放器、游戏机等在内的多种消费电子产品中,这款晶体管可以用于信号调节、功率转换等功能。

总体而言,2SD1834T100凭借其卓越的电气特性,广泛应用于需要高精度、高效率和稳定性的电子设备中,满足多样化的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL NPN 60V 1A SOT-89达林顿晶体管 DARL NPN 60V 1A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ROHM Semiconductor 2SD1834T100-

数据手册

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产品型号

2SD1834T100

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 500µA, 500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

2000 @ 500mA,3V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

Transistors

供应商器件封装

MPT3

其它名称

2SD1834T100CT

功率-最大值

2W

功率耗散

0.5 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

150 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最大集电极截止电流

1 uA

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

2000

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

150MHz

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