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Datasheet下载- 型号： 2SD1816T-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1816T-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1816T-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SD1816T-TL-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 4A 180MHz 1W 表面贴装 2-TP-FA。您可以下载2SD1816T-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1816T-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD1816T-TL-E是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这类晶体管广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要高效、快速开关和放大功能的场合。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景： 1. 电源管理 2SD1816T-TL-E常用于电源管理电路中，作为开关元件或线性稳压器中的调整管。它能够承受较高的电流和电压，适合用于开关电源、线性稳压器等应用，确保电源系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，2SD1816T-TL-E可以作为功率放大级，用于驱动直流电机或步进电机。它的高电流输出能力使其能够在低功耗的情况下提供足够的驱动能力，适用于消费电子、工业自动化等领域。 3. 音频放大 该晶体管也可用于音频放大器的设计，尤其是在前置放大器或功率放大器的输出级。由于其良好的线性特性和较低的噪声，2SD1816T-TL-E能够提供清晰、稳定的音频信号放大，适用于便携式音频设备、扬声器驱动等场景。 4. 信号调理 在信号调理电路中，2SD1816T-TL-E可以用作信号放大器或缓冲器，帮助提高信号的强度或隔离前后级电路。例如，在传感器信号调理电路中，它可以放大微弱的传感器输出信号，确保后续处理电路能够准确接收到信号。 5. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测负载电流的变化，2SD1816T-TL-E可以在异常情况下迅速切断电流路径，保护整个电路免受损坏。 6. 脉宽调制（PWM）控制 在PWM控制电路中，2SD1816T-TL-E可以作为开关元件，用于调节输出电压或电流的占空比。这种应用常见于LED驱动、风扇控制等需要精确调节输出功率的场合。 总之，2SD1816T-TL-E凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和放大的电路中，尤其适合对电流和电压要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HI CURR 100V 4A TP-FA两极晶体管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1816T-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1816T-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | 2SD1816 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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