ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SD1816T-TL-E
Datasheet下载- 型号： 2SD1816T-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1816T-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1816T-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SD1816T-TL-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 4A 180MHz 1W 表面贴装 2-TP-FA。您可以下载2SD1816T-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1816T-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HI CURR 100V 4A TP-FA两极晶体管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1816T-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1816T-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | 2SD1816 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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