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Datasheet下载- 型号： 2SD1623S-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1623S-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1623S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SD1623S-TD-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 2A 150MHz 500mW 表面贴装 PCP。您可以下载2SD1623S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SD1623S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SD1623S-TD-E 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的单个双极型晶体管 (BJT)。该型号广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要高效、可靠的电流放大部分。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 2SD1623S-TD-E 常用于开关电源和线性稳压器中的电流放大和控制。它能够有效地将微弱的控制信号放大为较大的电流输出，从而驱动负载或调节电压。在电源管理应用中，该晶体管可以实现高效率的能量转换，确保系统的稳定性和可靠性。 2. 音频放大器 在音频设备中，如收音机、音响系统等，2SD1623S-TD-E 可用于前置放大器或功率放大器阶段。它能够将来自麦克风或其他音频源的微弱信号放大到足够的电平，以驱动扬声器或耳机。由于其低噪声特性和良好的线性度，该晶体管在音频应用中表现出色。 3. 电机控制 2SD1623S-TD-E 还适用于小型电机驱动电路。它可以作为开关元件，通过控制电流的通断来启动或停止电机。此外，该晶体管还可以用于调速控制，通过改变基极输入信号的大小来调整电机的转速。其快速响应时间和低饱和电压使其非常适合用于电机控制应用。 4. 传感器接口 在传感器信号调理电路中，2SD1623S-TD-E 可以用于信号放大和隔离。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，该晶体管可以将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的电平。同时，它还可以提供电气隔离功能，保护敏感的前端电路免受外部干扰。 5. 通信设备 在通信设备中，如无线电发射机和接收机，2SD1623S-TD-E 可用于射频 (RF) 放大和调制解调电路。它能够在高频条件下保持稳定的性能，确保信号的清晰传输和接收。此外，该晶体管还具有较低的噪声系数，有助于提高通信系统的信噪比。 6. 工业自动化 在工业控制系统中，2SD1623S-TD-E 可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。它能够承受较高的电流和电压，确保在恶劣环境下依然可靠工作。同时，该晶体管的耐用性和长寿命也使得它成为工业自动化应用的理想选择。 总之，2SD1623S-TD-E 凭借其优异的性能和广泛的适用性，成为许多电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1623S-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1623S-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SD1623 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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