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  • 型号: 2SD1383KT146B
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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2SD1383KT146B产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 32V 0.3A SOT-346达林顿晶体管 NPN 32V 0.3A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ROHM Semiconductor 2SD1383KT146B-

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产品型号

2SD1383KT146B

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 400µA, 200mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

5000 @ 100mA,5V

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

SMT3

其它名称

2SD1383KT146B-ND
2SD1383KT146BTR

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.3 A

最大集电极截止电流

1 uA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

5000

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

32 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

频率-跃迁

250MHz

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