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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1012G-SPA由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1012G-SPA价格参考。ON Semiconductor2SD1012G-SPA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1012G-SPA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1012G-SPA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 700MA 15V SPA两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 15V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1012G-SPA- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SD1012G-SPA |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 80mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 280 @ 50mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-SPA |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | 3-SIP |
封装/箱体 | SPA-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大工作温度 | + 125 C |
最大直流电集电极电流 | 0.7 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 700mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 960 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 160 |
系列 | 2SD1012 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
集电极—基极电压VCBO | 20 V |
集电极—射极饱和电压 | 30 mV |
集电极连续电流 | 0.7 A |
频率-跃迁 | 250MHz |