ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SCR554PT100
Datasheet下载- 型号： 2SCR554PT100
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SCR554PT100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SCR554PT100价格参考￥1.53-￥2.27。ROHM Semiconductor2SCR554PT100封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1.5A 300MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SCR554PT100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SCR554PT100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SCR554PT100 是由 Rohm Semiconductor 生产的双极晶体管（BJT），属于单个晶体管类别。它广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效开关和放大功能的场景中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 2SCR554PT100 可用于电源管理系统中的开关应用。由于其低饱和电压和高电流承载能力，它可以在电源转换、稳压电路以及直流电机驱动等场景中发挥重要作用。例如，在线性稳压器中，它可以作为功率晶体管来调节输出电压，确保稳定的电源供应。 2. 电机控制 在电机控制领域，特别是小型直流电机或步进电机的驱动中，2SCR554PT100 可以用作驱动晶体管。它能够承受较高的电流，并且具有较快的开关速度，适合用于脉宽调制（PWM）控制，从而实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 音频放大 该晶体管也可以用于音频放大电路中，尤其是在功率放大器的设计中。它能够提供足够的增益和电流输出，适用于推动扬声器或其他音频负载。通过合理设计反馈网络，可以实现高质量的音频信号放大，减少失真。 4. 工业自动化 在工业自动化系统中，2SCR554PT100 可用于各种传感器接口、继电器驱动以及信号调理电路。它的高可靠性使得它在恶劣环境下也能稳定工作，适用于工厂自动化、机器人控制等领域。 5. 汽车电子 汽车电子系统中，2SCR554PT100 可以用于点火系统、灯光控制、风扇控制等应用。它能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定，适应汽车环境的要求。 总之，2SCR554PT100 凭借其优异的电气特性，适用于多种需要高效开关和放大的应用场景，尤其在电源管理、电机控制、音频放大以及工业自动化等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 80V 1.5A SOT-89开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 80V 1.5A Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor 2SCR554PT100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SCR554PT100 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 25mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SCR554PT100CT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 3 A |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 300 MHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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