ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC5658T2LQ
Datasheet下载- 型号： 2SC5658T2LQ
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5658T2LQ由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5658T2LQ价格参考￥0.37-￥0.68。ROHM Semiconductor2SC5658T2LQ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 150mA 180MHz 150mW 表面贴装 VMT3。您可以下载2SC5658T2LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5658T2LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5658T2LQ是由Rohm Semiconductor生产的单个双极晶体管（BJT），主要应用于高频、高增益的放大和开关电路中。该型号晶体管具有低噪声、高增益以及出色的频率响应特性，适用于多种电子设备和通信系统。 应用场景： 1. 射频放大器： 2SC5658T2LQ因其高频性能，常用于射频（RF）放大器中，特别是在VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段的应用。它可以在无线通信设备、对讲机、无线电接收器等设备中提供稳定的信号放大。 2. 音频放大器： 在音频设备中，如收音机、耳机放大器、音响系统等，2SC5658T2LQ可以作为前置放大器或功率放大器的一部分，提供高质量的音频信号放大，同时保持低失真和低噪声。 3. 开关电路： 该晶体管也可用于开关电路中，例如在电源管理模块中作为开关元件，控制电流的通断。其快速的开关速度使其适合于脉宽调制（PWM）电路和其他需要高速切换的应用。 4. 通信设备： 在移动通信基站、卫星通信设备以及其他无线传输系统中，2SC5658T2LQ可用于信号处理和放大，确保信号的稳定性和可靠性。 5. 工业自动化： 在工业控制系统中，2SC5658T2LQ可以用于驱动传感器、执行器等设备，实现精确的电流控制和信号传输。 6. 医疗设备： 在一些医疗设备中，如心电图机、超声波设备等，2SC5658T2LQ可以用于信号放大和处理，确保数据的准确性和稳定性。 总结： 2SC5658T2LQ凭借其优异的高频性能和高增益特性，在射频放大、音频放大、开关电路、通信设备、工业自动化和医疗设备等领域有着广泛的应用。其低噪声和高可靠性使得它成为许多高性能电子设备中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VMT3两极晶体管 - BJT NPN 50V 0.15A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC5658T2LQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5658T2LQ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
| 其它名称 | 2SC5658T2LQDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | VMT-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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