ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > 2SC5551AF-TD-E
Datasheet下载- 型号： 2SC5551AF-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5551AF-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5551AF-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5551AF-TD-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 30V 300mA 3.5GHz 1.3W Surface Mount PCP。您可以下载2SC5551AF-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5551AF-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5551AF-TD-E 是由 ON Semiconductor 生产的双极射频晶体管（BJT），广泛应用于高频放大器、混频器和振荡器等射频电路中。以下是该型号晶体管的一些应用场景： 1. 射频放大器 2SC5551AF-TD-E 适用于低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）。它具有较低的噪声系数和较高的增益，能够在不显著增加噪声的情况下放大弱信号。这使得它在接收机前端的应用中表现优异，尤其是在无线通信系统中，如蜂窝基站、Wi-Fi路由器和卫星通信设备。 2. 混频器 在射频系统中，混频器用于将信号从一个频率转换到另一个频率。2SC5551AF-TD-E 的高线性度和宽频带特性使其成为理想的选择。它可以有效地处理多个频率成分，确保信号不失真地进行频率转换，适用于无线电接收机、发射机以及软件定义无线电（SDR）系统。 3. 振荡器 该晶体管可以用于构建高性能的射频振荡器，如压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）中的核心元件。其稳定的频率响应和良好的温度特性有助于提高振荡器的稳定性和可靠性，适用于时钟生成、频率合成和本地振荡器（LO）等应用。 4. 调制解调器 在调制解调器中，2SC5551AF-TD-E 可以用于实现调制和解调功能。它能够处理复杂的调制方案，如QAM、PSK等，并且可以在较宽的频率范围内工作，满足不同通信标准的要求。 5. 测试与测量设备 在射频测试仪器中，如频谱分析仪、网络分析仪和信号发生器，2SC5551AF-TD-E 作为关键组件，提供了高精度和稳定的性能。它能够精确地放大或产生所需的射频信号，帮助工程师进行各种射频参数的测量和分析。 总结 2SC5551AF-TD-E 凭借其卓越的射频性能、低噪声和高线性度，在无线通信、雷达、广播电视、医疗设备等多个领域有着广泛的应用前景。无论是作为放大器、混频器还是振荡器的核心元件，它都能为系统提供可靠且高效的射频解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SC5551AF-TD-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 135 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 300mA |
| 频率-跃迁 | 3.5GHz |
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