ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > 2SC5277A-2-TL-E
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- 型号： 2SC5277A-2-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5277A-2-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5277A-2-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SC5277A-2-TL-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 30mA 8GHz 100mW Surface Mount SMCP。您可以下载2SC5277A-2-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5277A-2-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5277A-2-TL-E 是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极射频晶体管（BJT），主要用于高频和射频应用。该型号晶体管具有出色的高频性能，适用于多种射频放大器设计，特别是在无线通信、射频识别（RFID）、雷达和其他需要高效信号放大的应用场景中。 主要应用场景： 1. 无线通信设备：2SC5277A-2-TL-E 可用于设计高性能的射频放大器，广泛应用于无线通信系统，如蜂窝基站、Wi-Fi路由器、蓝牙模块等。其高增益和低噪声特性使其在接收端和发射端都能提供优异的表现。 2. 射频识别（RFID）系统：在RFID读写器中，该晶体管可以用于放大射频信号，确保标签与读写器之间的可靠通信。其高频特性和稳定性使得它在RFID系统的信号处理中表现出色。 3. 雷达系统：2SC5277A-2-TL-E 适合用于小型雷达系统中的射频前端，尤其是在需要高灵敏度和高线性度的应用中。它可以用于放大接收到的微弱信号，帮助提高雷达系统的探测精度和范围。 4. 测试与测量设备：在射频测试仪器中，如频谱分析仪、信号发生器等，该晶体管可以作为关键的放大元件，确保测试结果的准确性和可靠性。 5. 业余无线电设备：对于业余无线电爱好者来说，2SC5277A-2-TL-E 可以用于自制的射频放大器或发射机，帮助实现更远的通信距离和更高的信号质量。 6. 医疗设备：在某些医疗设备中，如超声波设备或其他依赖射频技术的诊断工具，该晶体管可以用于信号放大，确保设备的稳定性和准确性。 性能特点： - 高频工作能力：该晶体管能够在较高的频率下保持良好的增益和线性度，适用于射频和微波频段。 - 低噪声特性：在射频应用中，低噪声是至关重要的，2SC5277A-2-TL-E 具有较低的噪声系数，能够有效减少信号失真。 - 高可靠性：该晶体管经过严格的测试和筛选，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能，适用于工业级和军用级应用。 总之，2SC5277A-2-TL-E 是一款专为射频应用设计的高性能双极晶体管，适用于各种需要高效信号放大的场景，尤其是在无线通信、RFID、雷达等领域表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 30MA 10V SMCP两极晶体管 - BJT BIP NPN 30MA 10V FT=8G |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5277A-2-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5277A-2-TL-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz |
| 增益 | 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2SC5277A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 30 mA |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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