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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR NPN MM USM |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SC5085-Y(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 20mA,10V |
供应商器件封装 | USM |
其它名称 | 2SC5085-Y(TE85LF)CT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB @ 1GHz |
增益 | 11dB ~ 16.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80mA |
频率-跃迁 | 7GHz |