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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4793(F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4793(F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4793(F,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC4793(F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4793(F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 230V 1A TO220NIS两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4793(F,M)- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC4793(F,M)2SC4793(F,M) |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220NIS |
其它名称 | 2SC4793(F,M)-ND |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 230V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 320 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 230 V |
集电极—基极电压VCBO | 230 V |
集电极连续电流 | 1 A |
频率-跃迁 | 100MHz |