ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC4617EBTLP
Datasheet下载- 型号： 2SC4617EBTLP
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4617EBTLP由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4617EBTLP价格参考￥0.22-￥0.60。ROHM Semiconductor2SC4617EBTLP封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 150mA 180MHz 150mW 表面贴装 EMT3F（SOT-416FL）。您可以下载2SC4617EBTLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4617EBTLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC4617EBTLP 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的单个双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备和电路中。该型号晶体管属于NPN类型，具有低噪声、高增益和宽频率响应等特性，适用于多种应用场景。 1. 音频放大器 2SC4617EBTLP 由于其低噪声特性和高增益，常用于音频放大器的设计中。它可以在前置放大器或功率放大器中作为信号放大的关键元件，确保音频信号在传输过程中不失真，并且能够提供足够的增益来驱动扬声器或其他音频输出设备。 2. 射频（RF）电路 该晶体管的高频特性使其适合用于射频电路中的信号放大和调制解调。例如，在无线通信设备、无线电接收器和发射器中，2SC4617EBTLP 可以用于放大弱信号或将信号转换为所需的频率范围，从而提高通信质量。 3. 开关电路 在开关应用中，2SC4617EBTLP 可以用作开关元件，控制电流的通断。例如，在电源管理电路中，它可以用于控制继电器、LED 或其他负载的开关状态。其快速开关速度和低饱和电压有助于提高效率并减少能量损耗。 4. 模拟信号处理 2SC4617EBTLP 还可以用于模拟信号处理电路中，如滤波器、振荡器和混频器。它的线性特性使得它能够在这些电路中保持信号的完整性，同时提供必要的放大和调制功能。 5. 传感器接口 在传感器接口电路中，2SC4617EBTLP 可以用于将微弱的传感器信号放大到可检测的水平。例如，在温度传感器、压力传感器或光电传感器中，它可以帮助提高信号的灵敏度和精度。 总之，2SC4617EBTLP 的低噪声、高增益和高频特性使其成为多种应用的理想选择，特别是在需要高精度和高性能的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP 50V 0.15A EMT3两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC4617EBTLP- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC4617EBTLP |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | EMT3F |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 400 mV |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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