ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC4213BTE85LF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4213BTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4213BTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4213BTE85LF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 300mA 30MHz 100mW 表面贴装 USM。您可以下载2SC4213BTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4213BTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 20V 0.3A USM两极晶体管 - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=2SC4213&lang=en |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4213BTE85LF- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC4213BTE85LF2SC4213BTE85LF |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 3mA、 30A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 350 @ 4mA、 2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | USM |
其它名称 | 2SC4213BTE85LFCT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 25 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 30 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 100 mW |
最大直流电集电极电流 | 300 mA |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 300mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 1200 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.042 V |
集电极连续电流 | 300 mA |
频率-跃迁 | 30MHz |