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  • 型号: 2SC4213BTE85LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4213BTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4213BTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4213BTE85LF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 300mA 30MHz 100mW 表面贴装 USM。您可以下载2SC4213BTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4213BTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 20V 0.3A USM两极晶体管 - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=2SC4213&lang=en

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4213BTE85LF-

数据手册

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产品型号

2SC4213BTE85LF2SC4213BTE85LF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

100mV @ 3mA、 30A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

350 @ 4mA、 2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

USM

其它名称

2SC4213BTE85LFCT

功率-最大值

100mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

25 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

30 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

100 mW

最大直流电集电极电流

300 mA

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

1200

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.042 V

集电极连续电流

300 mA

频率-跃迁

30MHz

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