Datasheet下载- 型号： 2SC4116SU-Y,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4116SU-Y,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4116SU-Y,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4116SU-Y,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC4116SU-Y,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4116SU-Y,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC4116SU-Y,LF 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是该型号的应用场景分析： 1. 音频放大器 - 2SC4116SU 是一款高频、低噪声的 NPN 晶体管，适合用于音频信号的放大。其高增益特性使其能够有效地放大弱音频信号，适用于小型音响设备、耳机放大器或语音处理电路。 2. 射频（RF）电路 - 由于其高频性能，2SC4116SU 可用于射频电路中的信号放大和混频。例如，在无线通信模块、调制解调器或收音机中，可以作为前置放大器或驱动级晶体管。 3. 开关电路 - 在低功率开关应用中，该晶体管可以用作开关元件。例如，控制小型继电器、LED 或其他低功耗负载的通断。 4. 传感器信号放大 - 对于微弱的传感器信号（如温度传感器、压力传感器等），2SC4116SU 的低噪声特性和高增益能够有效放大信号，从而提高检测精度。 5. 电源管理 - 在某些低功率电源管理电路中，该晶体管可以用作电流调节器或稳压器的一部分，帮助稳定输出电压或电流。 6. 脉冲信号生成 - 由于其快速响应能力，2SC4116SU 可用于脉冲信号生成电路，例如定时器、振荡器或触发器电路。 总结 2SC4116SU-Y,LF 的主要应用场景集中在低功率放大、高频信号处理和简单开关电路中。其低噪声和高增益特性使其成为音频、射频和传感器信号处理的理想选择，同时也能满足一些基础电源管理和脉冲生成需求。在设计时需注意其最大工作电压、电流和功率限制，以确保安全可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 150MA USM两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4116SU-Y,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC4116 |
| 产品型号 | 2SC4116SU-Y,LF2SC4116SU-Y,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 2mA，6V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC4116SU-YLFTR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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