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  • 型号: 2SC4116SU-GR,LF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4116SU-GR,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4116SU-GR,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4116SU-GR,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC4116SU-GR,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4116SU-GR,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 50V 150MA USM两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4116SU-GR,LF-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC4116

产品型号

2SC4116SU-GR,LF2SC4116SU-GR,LF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

70 @ 2mA,6V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

USM

其它名称

2SC4116SU-GRLFCT

功率-最大值

100mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

80 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

100 mW

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

150mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

150 mA

频率-跃迁

80MHz

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