ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC4081T106S
Datasheet下载- 型号： 2SC4081T106S
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4081T106S由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4081T106S价格参考。ROHM Semiconductor2SC4081T106S封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 150mA 180MHz 200mW 表面贴装 UMT3。您可以下载2SC4081T106S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4081T106S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC4081T106S 是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。这款晶体管在多种电子电路中有着广泛的应用，尤其适用于需要高增益和低噪声特性的场合。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2SC4081T106S 具有较低的噪声系数和较高的电流增益（hFE），因此非常适合用于音频放大器中的前置放大级或中间放大级。它能够提供清晰、失真小的音频信号放大，特别适合于高保真音响设备、耳机放大器等应用。 2. 射频（RF）电路 由于该晶体管具有良好的高频特性，可以在射频电路中作为放大器使用，尤其是在低噪声放大器（LNA）中表现优异。它可以用于无线通信设备、收音机、对讲机等需要处理高频信号的设备中。 3. 开关电源 在一些中小功率的开关电源设计中，2SC4081T106S 可以用作驱动级晶体管，帮助控制主开关管的工作状态。它的快速开关特性和较低的饱和电压有助于提高电源转换效率并减少发热。 4. 传感器信号调理 该晶体管可以用于传感器信号的放大和调理电路中，特别是那些需要高精度和低噪声放大的场合。例如，在温度传感器、压力传感器等模拟信号采集系统中，2SC4081T106S 可以确保信号的准确性和稳定性。 5. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，2SC4081T106S 可以作为驱动晶体管，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的大电流承载能力和较快的响应速度使其能够胜任这类任务。 6. 脉宽调制（PWM）控制器 在 PWM 控制器中，2SC4081T106S 可以用于驱动负载，如 LED 灯条、小型加热元件等。通过 PWM 信号的调制，它可以实现精确的亮度控制或温度控制。 总结： 2SC4081T106S 晶体管凭借其优异的电气性能，适用于多种需要高增益、低噪声和快速响应的电路中。无论是音频放大、射频处理还是传感器信号调理，它都能提供可靠且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 50V 150MA SOT-323 TR两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA SOT-323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC4081T106S- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC4081T106S |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | 2SC4081T106SDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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