ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC3837KT146P
Datasheet下载- 型号： 2SC3837KT146P
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC3837KT146P由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC3837KT146P价格参考。ROHM Semiconductor2SC3837KT146P封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 50mA 1.5GHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SC3837KT146P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC3837KT146P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC3837KT146P 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的单个双极结型晶体管（BJT）。该型号属于NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关控制。 应用场景 1. 音频放大器： 2SC3837KT146P 可用于音频放大器中的前置放大级或功率输出级。其高增益和低噪声特性使其适合处理音频信号，确保音质清晰且失真小。特别是在便携式音频设备、耳机放大器等应用场景中表现优异。 2. 电源管理： 在开关电源（SMPS）和其他电源管理电路中，2SC3837KT146P 可作为开关元件使用。它能够快速响应电流变化，确保电源系统的稳定性和效率。此外，该晶体管还可以用于线性稳压器中的调整管，以提供稳定的直流输出电压。 3. 工业控制系统： 在工业自动化和控制系统中，2SC3837KT146P 可用于驱动继电器、电机或其他负载。其较高的电流承载能力和耐压能力使其能够在严苛的工作环境下可靠运行，适用于工厂自动化、机器人控制等领域。 4. 通信设备： 该型号晶体管可用于射频（RF）放大器和调制解调器中，处理高频信号。其良好的频率响应特性使其适合在无线通信、卫星通信等应用中使用，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品： 在家用电器和消费电子产品中，如电视机、音响系统、智能家电等，2SC3837KT146P 可用于信号放大、逻辑电平转换和电源管理等功能模块。其紧凑的封装形式和高性能特点使得它在小型化设计中具有优势。 总之，2SC3837KT146P 凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域有着广泛的应用前景，是设计工程师在开发高性能电子设备时的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 50MA SOT-346两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SC3837KT146P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC3837KT146P |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 4mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 82 @ 10mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 2SC3837KT146P-ND |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 1.5 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-346 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 1.5GHz |
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