ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC3649T-TD-E
Datasheet下载- 型号： 2SC3649T-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC3649T-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC3649T-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC3649T-TD-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 1.5A 120MHz 500mW 表面贴装 PCP。您可以下载2SC3649T-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC3649T-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC3649T-TD-E 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极结型晶体管 (BJT)，属于 NPN 类型。该型号的晶体管具有低噪声和高增益的特点，适用于多种高频和低频应用场合。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2SC3649T-TD-E 的低噪声特性使其非常适合用于音频放大器中的前置放大级或中间放大级。它能够有效放大微弱的音频信号，同时保持较低的噪声水平，从而提高音质。 2. 射频 (RF) 放大器 由于该晶体管具有较高的增益和良好的频率响应，它可以应用于射频放大器中，特别是在需要高增益和低噪声的接收电路中。例如，在无线通信设备、无线电接收机等场景中，2SC3649T-TD-E 可以作为前端放大器，提升信号强度并减少噪声干扰。 3. 开关电路 在一些需要快速切换的开关电路中，2SC3649T-TD-E 也可以发挥重要作用。它的开关速度较快，能够在高频条件下稳定工作，适合用于数字电路中的信号传输和控制。 4. 传感器信号放大 在传感器应用中，2SC3649T-TD-E 可以用于放大传感器输出的微弱信号。例如，在温度传感器、压力传感器等精密测量设备中，该晶体管可以帮助将传感器的输出信号放大到可以被后续处理电路识别的水平。 5. 电源管理 虽然 2SC3649T-TD-E 不是专门设计用于大功率应用，但在一些低功耗的电源管理电路中，它可以用于电压调节或电流控制。例如，在线性稳压器中，该晶体管可以用作调整管，帮助维持输出电压的稳定性。 6. 模拟信号处理 在模拟信号处理电路中，2SC3649T-TD-E 可以用于构建各种类型的放大器、滤波器和其他模拟电路。它的高增益和低噪声特性使得它在这些应用中表现出色，特别适合用于需要高精度和高稳定性的场合。 总的来说，2SC3649T-TD-E 是一款性能优良的 NPN 晶体管，适用于多种低噪声、高增益的应用场景，尤其是在音频、射频和传感器信号放大等方面表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 1.5A 160V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC3649T-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC3649T-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V, 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | 2SC3649 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 160 V, 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 180 V, 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 200 mV, 130 mV |
| 集电极连续电流 | - 1.5 A, 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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