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2SC2921产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2921由Sanken设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2921价格参考¥195.40-¥262.21。Sanken2SC2921封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 15A 60MHz 150W 通孔 MT-200。您可以下载2SC2921参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC2921 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN LAPT 160V 15A MT200 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Sanken |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SC2921 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 500mA,5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 5A,4V |
供应商器件封装 | MT-200 |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 3-ESIP |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 250 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA(ICBO) |
频率-跃迁 | 60MHz |
2SC2921 LAPT Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1215) Application: Audio and General Purpose nAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) nElectrical Characteristics (Ta=25°C) External DimensionsMT-200 Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit VCBO 160 V ICBO VCB=160V 100max mA 36.4±0.3 6.0±0.2 VCEO 160 V IEBO VEB=5V 100max mA 2-ø3.2±0.1 24.4±0.2 9 2.1 VEBO 5 V V(BR)CEO IC=25mA 160min V IICB 145 AA hVFCEE(sat) IVCC=E5=A4,V I,B =IC0=.55AA 25.00mmianx* V 21.4±0.3 ab 7 PC 150(Tc=25°C) W fT VCE=12V, IE=–2A 60typ MHz TTjstg –55 1to5 0+150 °°CC *ChOFBE Rank O(50 VtoC B1=0100),V P, (f7=01 MtoH 1z40), Y(902 0to0 t1y8p0) pF 20.0min 4.0max 132.05+-00..12 0.65+-00..12 nTypical Switching Characteristics (Common Emitter) 5.45±0.1 5.45±0.1 3.0+-00..13 B C E VCC RL IC VB2 IB1 IB2 ton tstg tf Weight : Approx 18.4g (V) (Ω) (A) (V) (mA) (mA) (ms) (ms) (ms) a. Part No. 60 12 5 –5 500 –500 0.2typ 1.5typ 0.35typ b. Lot No. IC–VCE Characteristics (Typical) VCE(sat)–IB Characteristics (Typical) IC–VBE Temperature Characteristics (Typical) 15 750mA 600mA 500mA 400m3A00mA (V)CE(sat) 3 15 (VCE=4V) V Collector Current I(A)C105 IB211=0550200000mmmmmAAAAA ollector-Emitter Saturation Voltage 21 5A IC=10A Collector Current I(A)C 150 125˚C (2C5a˚sC e Temp)–30˚C (Case Temp) 00 1 2 3 4 C 00 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 00 1 2 Collector-Emitter Voltage VCE(V) Base Current IB(A) Base-Emittor Voltage VBE(V) hFE–IC Characteristics (Typical) hFE–IC Temperature Characteristics (Typical) q j-a–t Characteristics 200 (VCE=4V) 200 125˚C (VCE=4V) (˚C/W)j-a 2 DC Current Gain hFE1150000 Typ DC Current Gain hFE1025000 –2350˚˚CC qTransient Thermal Resistance 00..115 0.02 0.1 0.5 1 10 15 0.02 0.1 0.5 1 5 1015 1 10 100 1000 2000 Collector Current IC(A) Collector Current IC(A) Time t(ms) fT–IE Characteristics (Typical) Safe Operating Area (Single Pulse) Pc–Ta Derating (VCE=12V) 80 40 160 Frequency f(MH)TZ4600 Typ or Current I(A)C 105 DC 10ms wer Dissipation P(W)C12800 With Infinite heatsink Cut-off 20 Collect 1 mum Po 40 WNiathtuoruatl HCeoaotlsiningk Maxi 0.5 Without Heatsink 5 –00.02 –0.1 –1 –10 0.32 10 100 200 00 25 50 75 100 125 150 Emitter Current IE(A) Collector-Emitter Voltage VCE(V) Ambient Temperature Ta(˚C) 61