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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2812N6-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2812N6-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SC2812N6-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC2812N6-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC2812N6-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.15A 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC2812N6-TB-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC2812N6-TB-E |
PCN过时产品 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 135 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-CP |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 300 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
系列 | 2SC2812N |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 55 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
集电极连续电流 | 150 mA |
频率-跃迁 | 100MHz |