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  • 型号: 2SC2714-Y(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2714-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2714-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC2714-Y(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC2714-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC2714-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN S-MINI两极晶体管 - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=2SC2714&lang=en

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC2714-Y(TE85L,F)-

数据手册

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产品型号

2SC2714-Y(TE85L,F)2SC2714-Y(TE85L,F)

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

S-Mini

其它名称

2SC2714-Y(TE85LF)DKR

功率-最大值

100mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

Toshiba

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

2.5dB @ 100MHz

增益

23dB

增益带宽产品fT

550 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-346

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

100 mW

最大直流电集电极电流

20 mA

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20mA

直流电流增益hFE最大值

200

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

集电极连续电流

20 mA

频率-跃迁

550MHz

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