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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC2714-O(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC2714-O(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC2714-O(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC2714-O(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC2714-O(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI射频双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1922249&lineid=83&subcategoryid=1936988&familyid=900135 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Toshiba 2SC2714-O(TE85L,F)- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SC2714-O(TE85L,F)2SC2714-O(TE85L,F) |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 1mA,6V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | S-Mini |
其它名称 | 2SC2714-O(TE85LF)DKR |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Toshiba |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 2.5dB @ 100MHz |
增益 | 23dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大工作温度 | + 125 C |
最大工作频率 | 550 MHz (Typ) |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
类型 | FM Frequency Amplifier |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极连续电流 | 20 mA |
频率 | 550 MHz (Typ) |
频率-跃迁 | 550MHz |