ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1709TL
Datasheet下载- 型号： 2SB1709TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1709TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1709TL价格参考￥1.46-￥2.87。ROHM Semiconductor2SB1709TL封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 1.5A 400MHz 500mW 表面贴装 TSMT3。您可以下载2SB1709TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1709TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）的2SB1709TL是一款NPN型双极晶体管（BJT），主要应用于需要高电流和高电压处理能力的场景。该型号具有以下特点和应用场景： 1. 高电流和高电压特性 2SB1709TL的最大集电极-发射极电压（Vceo）为80V，最大集电极电流（Ic）为15A，能够承受较高的电流和电压，适用于需要大功率输出的电路。这种特性使其在工业控制、电机驱动、电源管理等领域有广泛应用。 2. 开关应用 由于其高电流和电压特性，2SB1709TL常用于开关电路中。它可以作为开关元件来控制大电流负载，如电机、继电器或LED灯带等。在这些应用中，晶体管可以在饱和区和截止区之间快速切换，实现高效的开关控制。 3. 音频放大器 在音频设备中，2SB1709TL可以用于功率放大级，尤其是需要较大输出功率的场合。它能够提供足够的增益和驱动能力，确保音频信号在不失真的情况下被放大。这类应用常见于音响系统、功放设备等。 4. 电源管理 2SB1709TL也适用于线性稳压器或其他电源管理电路中。它可以作为调整管，通过调节集电极电流来稳定输出电压，确保负载端的电压保持恒定。此外，它还可以用于过流保护电路，防止电流过大导致设备损坏。 5. 电机驱动 在电机驱动电路中，2SB1709TL可以用于控制直流电机或步进电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动，并且可以通过外部电路实现精确的速度控制和位置控制。 6. 温度稳定性 该晶体管的工作温度范围较广（-55°C至+150°C），适合在恶劣环境下使用。因此，在一些对温度要求较高的工业环境中，如汽车电子、航空航天等领域，2SB1709TL也能发挥重要作用。 总的来说，2SB1709TL凭借其出色的电流和电压处理能力，广泛应用于各种需要大功率输出和高效控制的场合，特别是在工业控制、电源管理和电机驱动等领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT3两极晶体管 - BJT PNP 12V 1.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1709TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1709TL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 25mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 270 @ 200mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | 2SB1709TLCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 680 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 85 mV |
| 集电极连续电流 | - 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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