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  • 型号: 2SB1690TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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2SB1690TL产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 12V 2A TSMT 3两极晶体管 - BJT PNP 12V 2A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1690TL-

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产品型号

2SB1690TL

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

180mV @ 50mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

270 @ 200mA,2V

产品目录绘图

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TSMT3

其它名称

2SB1690TLDKR

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

360 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TSMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

680

直流集电极/BaseGainhfeMin

270

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 12 V

集电极—基极电压VCBO

- 15 V

集电极—射极饱和电压

- 120 mV

集电极连续电流

- 2 A

频率-跃迁

360MHz

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