【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_2SB1260T100Q】封装/厂家_2SB1260T100Q中文资料_价格

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型号： 2SB1260T100Q
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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2SB1260T100Q产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1260T100Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1260T100Q价格参考￥0.96-￥0.96。ROHM Semiconductor2SB1260T100Q封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SB1260T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1260T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 80V 1A SO-89两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-89
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1260T100Q-
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产品型号	2SB1260T100Q
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	120 @ 100mA，3V
产品目录绘图
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产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	MPT3
其它名称	2SB1260T100QCT
功率-最大值	2W
包装	剪切带（CT）
发射极-基极电压VEBO	- 5 V
商标	ROHM Semiconductor
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	SOT-89
工厂包装数量	1000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	0.5 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	1 A
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	1A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	390
直流集电极/BaseGainhfeMin	82
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 80 V
集电极—基极电压VCBO	- 80 V
集电极连续电流	- 1 A
频率-跃迁	100MHz

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