数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1260T100P由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1260T100P价格参考。ROHM Semiconductor2SB1260T100P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1260T100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1260T100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SB1260T100P是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 功率放大器:2SB1260T100P适合用于音频功率放大器中,能够提供高增益和大电流输出,适用于家庭音响、车载音响等设备。 2. 开关应用:由于其良好的开关特性,这款晶体管可以用于各种开关电路中,例如继电器驱动、电机控制等场景,实现高效能的开关功能。 3. 电源管理:在直流-直流转换器或稳压电路中,该晶体管可以用作开关元件或调节元件,帮助稳定输出电压并提高效率。 4. 信号放大:在需要对微弱信号进行放大的场合,如传感器信号处理、无线通信前端等,这款晶体管凭借其优异的放大性能表现出色。 5. 工业控制:在工业自动化领域,2SB1260T100P可用于控制大功率负载,如电磁阀、步进电机等,确保系统运行稳定可靠。 6. 汽车电子:该型号也常用于汽车电子系统中,如车灯控制、雨刷电机驱动等,满足汽车环境下的严苛要求。 总之,2SB1260T100P凭借其高性能参数和稳定性,在消费电子、工业设备及汽车电子等多个领域有着广泛的应用前景。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路设计以发挥最佳性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DVR PNP 80V 1A SOT-89 TR两极晶体管 - BJT DVR PNP 80V 1A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1260T100P- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SB1260T100P |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 82 @ 100mA,3V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | MPT3 |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | SOT-89 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2000 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 82 at 0.1 A at 3 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
集电极连续电流 | - 1 A |
频率-跃迁 | 100MHz |