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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1216T-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1216T-E价格参考。ON Semiconductor2SB1216T-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1216T-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1216T-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP BIPO 4A 100V TP两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1216T-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SB1216T-E |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TP |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | TO-251 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 1 W |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
系列 | 2SB1216 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | 130MHz |