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  • 型号: 2SB1216T-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1216T-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1216T-E价格参考。ON Semiconductor2SB1216T-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1216T-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1216T-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP BIPO 4A 100V TP两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 100V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1216T-E-

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产品型号

2SB1216T-E

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TP

功率-最大值

1W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

TO-251

工厂包装数量

500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

70

系列

2SB1216

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

130MHz

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