ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1202T-TL-E
Datasheet下载- 型号： 2SB1202T-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1202T-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1202T-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SB1202T-TL-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 3A 150MHz 1W 表面贴装 2-TP-FA。您可以下载2SB1202T-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1202T-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1202T-TL-E 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的双极型晶体管 (BJT)，属于 NPN 类型的单晶体管。该型号具有多种应用场景，特别是在低频和中等功率放大电路、开关电路以及信号处理领域。 1. 音频放大器 2SB1202T-TL-E 可用于音频放大器中的前置放大级或中间放大级。其低噪声特性和良好的线性度使其适合处理音频信号，确保音质清晰且失真小。它可以在音频设备如收音机、耳机放大器、音响系统等中发挥作用。 2. 开关应用 在开关应用中，2SB1202T-TL-E 可以作为开关元件使用，控制电流的通断。例如，在继电器驱动、LED 驱动、电机控制等领域，它可以快速响应并提供稳定的开关性能。由于其较低的饱和电压和较高的电流增益，能够有效减少功耗并提高效率。 3. 电源管理 该晶体管还可以用于简单的电源管理电路中，如稳压器、线性电源等。它可以通过调节输出电流来维持稳定的输出电压，适用于小型电子设备的电源设计。此外，它也可以用于过流保护电路中，防止负载电流过大导致损坏。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，2SB1202T-TL-E 可以作为信号放大器，将传感器产生的微弱信号放大到可被后续电路处理的水平。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以增强信号强度，确保数据的准确传输。 5. 通信设备 在一些通信设备中，2SB1202T-TL-E 可以用于调制解调电路、信号调理电路等。它的高频特性使得它能够在一定的频率范围内稳定工作，适用于低频段的无线通信设备、有线通信系统的信号处理部分。 总之，2SB1202T-TL-E 在各种低频和中频应用中表现出色，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。其可靠性和稳定性使其成为许多工程师的首选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP HI CURRENT TP-FA两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1202T-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1202T-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | 2SB1202 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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