ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1198KT146R
Datasheet下载- 型号： 2SB1198KT146R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1198KT146R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1198KT146R价格参考￥0.71-￥1.24。ROHM Semiconductor2SB1198KT146R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 180MHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SB1198KT146R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1198KT146R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1198KT146R 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的单个双极晶体管（BJT）。该型号的晶体管具有高耐压和大电流特性，适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：2SB1198KT146R 适合用于开关电源、线性稳压器等电源管理系统中。它能够高效地处理高电压和大电流，确保系统的稳定性和可靠性。例如，在工业设备或消费电子产品的电源模块中，该晶体管可以用来控制电流流动，提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动：在电机驱动电路中，该晶体管可用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机。由于其良好的开关特性和耐压能力，它可以承受电机启动时的大电流冲击，并保持长时间稳定运行。此外，它还可以应用于电动工具、家用电器以及自动化控制系统中的电机驱动部分。 3. 信号放大与耦合：作为放大元件，2SB1198KT146R 可用于音频放大器、射频（RF）放大器以及其他需要高性能放大的场合。它的低噪声和高增益特性使其成为理想的选择。同时，在模拟信号传输过程中，该晶体管也可用作耦合元件，实现信号的高效传递。 4. 保护电路：在各种保护电路中，如过流保护、短路保护等，该晶体管可以起到关键作用。通过检测异常情况并迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件，从而提高整个系统的安全性。 5. 汽车电子：在汽车行业中，2SB1198KT146R 广泛应用于车灯控制、雨刷器电机驱动、空调系统等车载电子设备中。其出色的环境适应性和可靠性确保了这些设备能够在严苛的工作条件下正常工作。 总之，2SB1198KT146R 晶体管凭借其优异的电气性能和稳定性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要处理高电压和大电流的应用场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 80V 0.5A SOT-346两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1198KT146R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1198KT146R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 2SB1198KT146RDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-346 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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