ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1198KT146Q
Datasheet下载- 型号： 2SB1198KT146Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1198KT146Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1198KT146Q价格参考￥1.09-￥1.96。ROHM Semiconductor2SB1198KT146Q封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 180MHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SB1198KT146Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1198KT146Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
罗姆半导体（Rohm Semiconductor）的2SB1198KT146Q是一款双极型晶体管（BJT），具体为单个NPN型晶体管。该型号具有较高的电流增益和出色的开关性能，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 2SB1198KT146Q常用于电源管理系统中，特别是在需要高效开关操作的场合。它可以在稳压器、DC-DC转换器等电路中充当开关元件，帮助调节输出电压或电流。其高电流增益特性使得它在低功耗应用中表现出色，能够有效减少能耗并提高效率。 2. 信号放大 在音频设备和其他需要信号放大的应用中，这款晶体管可以作为放大级使用。它的线性度好，能够提供稳定的信号放大功能，适用于音频放大器、传感器信号调理等场景。此外，它还可以用于射频（RF）信号的放大，尤其是在低频段的应用中表现优异。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动，2SB1198KT146Q可以作为驱动级的一部分，控制电机的启停和转速。其大电流承载能力使其能够在短时间内提供足够的电流来启动电机，并在运行过程中保持稳定的电流供应。这使得它在小型家用电器、玩具、自动化设备等领域有广泛应用。 4. 开关应用 在各种开关应用中，如继电器替代、负载开关等，2SB1198KT146Q凭借其快速开关特性和低饱和电压，能够实现高效的开关操作。它可以用于控制LED灯、继电器线圈、加热元件等负载，确保这些设备的安全可靠运行。 5. 工业控制 在工业自动化领域，这款晶体管可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等设备中。它可以帮助处理复杂的逻辑控制任务，如温度控制、液位检测等。其高可靠性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 总之，2SB1198KT146Q因其出色的电气性能和广泛的适用性，在电源管理、信号放大、电机驱动、开关应用及工业控制等多个领域都有着重要的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 80V 0.5A SOT-346两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1198KT146Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1198KT146Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | 2SB1198KT146QCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 100 mA at 3 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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