ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1197KT146Q
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
2SB1197KT146Q产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1197KT146Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1197KT146Q价格参考¥0.73-¥0.76。ROHM Semiconductor2SB1197KT146Q封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 800mA 200MHz 200mW 表面贴装 SMT3。您可以下载2SB1197KT146Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1197KT146Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1197KT146Q 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款双极晶体管(BJT),属于单个晶体管类型。该型号晶体管主要用于高频、高功率应用场景,具有良好的电流放大特性和开关性能。以下是其主要应用场景: 1. 高频放大电路 2SB1197KT146Q 晶体管适用于高频放大器设计,尤其是在射频(RF)和微波通信领域。它能够提供稳定的增益和低噪声特性,适合用于无线通信设备中的信号放大,如基站、卫星通信系统等。 2. 功率放大器 该晶体管的高功率处理能力使其成为功率放大器的理想选择。它可以用于音频放大器、工业控制设备以及电力电子系统中,确保在大电流输出时保持高效和稳定的工作状态。 3. 开关电源 在开关电源应用中,2SB1197KT146Q 可以作为开关元件,用于控制电源的通断。它的快速开关特性和低饱和电压有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。 4. 电机驱动 该晶体管适用于驱动中小型电机,特别是在需要精确控制电流和电压的应用场景中。它可以在电机启动、停止和调速过程中提供可靠的电流控制,确保电机平稳运行。 5. 工业自动化 在工业自动化系统中,2SB1197KT146Q 可以用于各种传感器接口、执行器控制和其他信号处理任务。它能够承受较高的工作温度和电压波动,适应恶劣的工业环境。 6. 汽车电子 该晶体管还广泛应用于汽车电子系统中,如车载音响、发动机控制单元(ECU)、车身控制系统等。它能够在宽温度范围内稳定工作,满足汽车电子对可靠性和耐久性的要求。 总之,2SB1197KT146Q 晶体管凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种高频、高功率应用场景,尤其在通信、工业控制和汽车电子等领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR PNP 32V 0.8A SOT-346两极晶体管 - BJT PNP 32V 0.8A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1197KT146Q- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SB1197KT146Q |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SMT3 |
其它名称 | 2SB1197KT146QTR |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 0.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 32V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 390 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
集电极连续电流 | - 0.8 A |
频率-跃迁 | 200MHz |