图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: 2SB1188T100R
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

2SB1188T100R产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1188T100R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1188T100R价格参考。ROHM Semiconductor2SB1188T100R封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 2A 100MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SB1188T100R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1188T100R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SB1188T100R 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的双极晶体管 (BJT),属于单个晶体管类型。该型号在多个应用场景中表现出色,尤其是在需要高可靠性和稳定性的电路设计中。

 应用场景:

1. 功率放大器:
   2SB1188T100R 适用于音频和射频 (RF) 放大器中的功率输出级。其高增益和低噪声特性使其成为音频设备、无线电通信系统等应用的理想选择。它能够提供稳定的放大性能,确保信号不失真,并且能够在较宽的频率范围内保持良好的线性度。

2. 开关电源:
   在开关模式电源 (SMPS) 中,2SB1188T100R 可用于驱动电路或作为功率开关元件。它的快速开关特性和较低的饱和电压有助于提高电源效率,减少能量损耗。此外,该晶体管的高电流处理能力使其能够应对较大的负载电流,确保电源系统的稳定运行。

3. 电机控制:
   2SB1188T100R 可用于直流电机或步进电机的驱动电路中。通过精确控制电流,它可以实现对电机速度和位置的高效调节。其高耐压和大电流特性使得它能够在电机启动、停止和加速过程中提供足够的驱动能力,同时保证电路的安全性和可靠性。

4. 工业自动化:
   在工业控制系统中,2SB1188T100R 常用于信号放大和传输。例如,在传感器接口电路中,它可以将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的电平。此外,它还可以用于继电器驱动、电磁阀控制等场合,确保这些设备的正常工作。

5. 消费电子产品:
   该型号晶体管也广泛应用于各种消费电子产品中,如家用电器、音响设备、无线遥控器等。其紧凑的封装形式和优异的电气性能使其成为小型化、高性能产品的理想选择。

总之,2SB1188T100R 凭借其卓越的性能和广泛的适用性,成为许多电子设备和系统中的关键元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89两极晶体管 - BJT PNP 32V 2A SO-89

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1188T100R-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

2SB1188T100R

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

800mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 500mA,3V

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

MPT3

其它名称

2SB1188T100RTR

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

390

直流集电极/BaseGainhfeMin

82

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 32 V

集电极—基极电压VCBO

- 40 V

集电极连续电流

- 2 A

频率-跃迁

100MHz

2SB1188T100R 相关产品

KSB708OTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC212B

品牌:ON Semiconductor

价格:

KSH29CITU

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC557BG

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC618,112

品牌:NXP USA Inc.

价格:

ST13007

品牌:STMicroelectronics

价格:

ZXTN2007ZTA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

FJL6820TU

品牌:ON Semiconductor

价格: