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  • 型号: 2SB1182TLQ
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1182TLQ由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1182TLQ价格参考。ROHM Semiconductor2SB1182TLQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1182TLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1182TLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 32V 2A SOT-428两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1182TLQ-

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产品型号

2SB1182TLQ

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

800mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 500mA,3V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

CPT3

其它名称

2SB1182TLQCT

功率-最大值

10W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK

工厂包装数量

2500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

10 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

32V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

390

直流集电极/BaseGainhfeMin

82

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 32 V

集电极—基极电压VCBO

- 40 V

集电极连续电流

- 2 A

频率-跃迁

100MHz

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