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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1182TLQ由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1182TLQ价格参考。ROHM Semiconductor2SB1182TLQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1182TLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1182TLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的型号为2SB1182TLQ的双极晶体管(BJT),属于NPN型高频功率晶体管。该器件广泛应用于需要高增益、高频率和大电流驱动能力的场景,其主要应用场景包括: 1. 音频放大器: 2SB1182TLQ适用于高保真音频放大器中的前置放大或功率输出级,能够提供稳定的增益和低失真性能,适合家用音响设备、汽车音响系统等。 2. 射频(RF)应用: 由于其高频特性,该晶体管可用于射频电路中的信号放大、调制解调以及混频器设计,例如无线通信模块、对讲机和其他高频电子设备。 3. 开关电源(SMPS): 在开关电源中,该晶体管可以用作驱动级或控制级元件,实现高效的电压转换和稳压功能。 4. 电机驱动与控制: 该晶体管可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供足够的电流驱动能力,同时支持快速开关操作。 5. 工业自动化设备: 在工业控制领域,2SB1182TLQ可用于传感器信号放大、继电器驱动以及各种接口电路的设计。 6. 通信设备: 在基站、中继器或其他通信设备中,该晶体管可作为中频或射频信号放大的核心组件。 7. 医疗设备: 在一些便携式或台式医疗仪器中,如心电图仪、超声波设备等,该晶体管可用于信号处理和放大。 总结来说,2SB1182TLQ凭借其优秀的电气特性和可靠性,特别适合需要高性能、高频率及大电流驱动的应用场合,是许多电子设备中不可或缺的关键元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 32V 2A SOT-428两极晶体管 - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1182TLQ- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SB1182TLQ |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 800mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,3V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | CPT3 |
其它名称 | 2SB1182TLQCT |
功率-最大值 | 10W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 10 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 32V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 390 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
集电极连续电流 | - 2 A |
频率-跃迁 | 100MHz |