ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1181TLQ
Datasheet下载- 型号： 2SB1181TLQ
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1181TLQ由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1181TLQ价格参考。ROHM Semiconductor2SB1181TLQ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 10W 表面贴装 CPT3。您可以下载2SB1181TLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1181TLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1181TLQ 是一种双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），具体为 NPN 型硅晶体管，广泛应用于各种电子电路中。它具有较高的电流增益和较低的饱和电压，适用于功率放大、开关控制等场景。以下是该晶体管的主要应用场景： 1. 功率放大器 2SB1181TLQ 可用于音频功率放大器的设计中。由于其具备良好的电流增益特性，能够有效地将输入的小信号放大成大功率输出，驱动扬声器或其他负载设备。在音频应用中，它可以帮助实现高质量的声音还原，适用于便携式音响、耳机放大器等产品。 2. 开关电路 该晶体管也可用作开关元件，在数字电路或控制系统中起到通断作用。通过控制基极电流，可以实现对集电极与发射极之间电流的快速切换，适用于电源管理、电机控制等领域。例如，在继电器驱动电路中，2SB1181TLQ 可以作为驱动级，控制继电器线圈的通断，从而实现对高电压或大电流负载的控制。 3. 脉宽调制（PWM）控制 在 PWM 控制电路中，2SB1181TLQ 能够根据输入的脉冲信号调节输出电流的占空比，进而控制负载的工作状态。这种应用常见于直流电机调速、LED 灯亮度调节等场合。通过改变 PWM 信号的频率和占空比，可以精确地控制电机转速或灯光亮度，达到节能和高效的目的。 4. 保护电路 2SB1181TLQ 还可用于过流保护电路中。当检测到异常电流时，可以通过反馈机制使晶体管进入饱和区或截止区，切断电流路径，保护后续电路免受损坏。这类保护功能在电源适配器、充电器等设备中有广泛应用。 总之，2SB1181TLQ 晶体管凭借其优良的电气性能和可靠性，在多种电子设备中扮演着重要角色，特别是在需要高性能功率放大和开关控制的应用场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1181TLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1181TLQ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | 2SB1181TLQCT |
| 功率-最大值 | 10W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | CPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 10 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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