ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SB1181TLQ
Datasheet下载- 型号： 2SB1181TLQ
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1181TLQ由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1181TLQ价格参考。ROHM Semiconductor2SB1181TLQ封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 10W 表面贴装 CPT3。您可以下载2SB1181TLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1181TLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1181TLQ 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的单个双极晶体管（BJT）。这款晶体管属于NPN型，具有低噪声和高增益的特点，适用于多种电子设备和电路中。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 2SB1181TLQ 由于其低噪声特性，非常适合用于音频信号的放大。它可以在前置放大器或功率放大器中作为增益级使用，确保音频信号在传输过程中保持清晰、无失真。此外，该晶体管的高频响应良好，能够处理高质量的音频信号，适用于高端音响设备和专业音频应用。 2. 射频（RF）电路 该晶体管的高频性能使其适用于射频电路中的信号放大和调制解调。它可以在无线通信设备、收发器、雷达系统等场景中发挥作用，尤其是在需要高增益和低噪声的应用中。2SB1181TLQ 的工作频率范围较广，能够满足不同频段的需求。 3. 开关电源 在开关电源的设计中，2SB1181TLQ 可以用作驱动级晶体管，帮助控制开关管的导通和关断。它的快速开关特性和较低的饱和电压有助于提高电源效率，减少能量损耗。此外，该晶体管的高可靠性使得它在工业级电源模块中也有广泛应用。 4. 传感器信号调理 2SB1181TLQ 还可以用于传感器信号的放大和调理。例如，在温度传感器、压力传感器等模拟信号输出的场合，该晶体管可以将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的电平。其低噪声特性有助于提高信号的信噪比，从而提升测量精度。 5. 工业控制系统 在工业自动化和控制系统中，2SB1181TLQ 可以用于信号隔离、电流放大等任务。它能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能，适用于电机驱动、PLC（可编程逻辑控制器）等设备中的信号处理部分。 总之，2SB1181TLQ 凭借其优异的电气特性，广泛应用于音频、射频、电源管理、传感器信号调理以及工业控制系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-428两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1181TLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1181TLQ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | 2SB1181TLQCT |
| 功率-最大值 | 10W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | CPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 10 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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