ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SAR514PT100
Datasheet下载- 型号： 2SAR514PT100
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SAR514PT100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SAR514PT100价格参考￥1.16-￥1.21。ROHM Semiconductor2SAR514PT100封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 700mA 380MHz 2W 表面贴装 MPT3。您可以下载2SAR514PT100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SAR514PT100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SAR514PT100 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。这种晶体管具有高耐压和低饱和电压的特点，适用于多种应用场景，特别是在需要高效开关和功率放大的电路中。 应用场景 1. 电源管理： 2SAR514PT100 可用于电源管理电路中，如开关稳压器、线性稳压器等。其高耐压特性使其能够承受较高的输入电压，确保在高压环境下稳定工作。此外，低饱和电压有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在电机驱动应用中，2SAR514PT100 可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和良好的电流承载能力，使其适合驱动中小型电机，广泛应用于家用电器、工业自动化设备等领域。 3. 音频放大器： 该晶体管也可用于音频放大器中，特别是在功率放大级。其低失真和高增益特性可以提供高质量的音频输出，适用于音响设备、耳机放大器等产品。 4. 信号放大与处理： 2SAR514PT100 可用于各种模拟信号的放大和处理，如传感器信号放大、无线通信中的射频信号放大等。其宽工作温度范围和高可靠性，使得它在恶劣环境下的表现依然出色。 5. 保护电路： 在保护电路中，2SAR514PT100 可以作为过流保护、短路保护等电路的关键元件。其快速响应能力和高耐压特性，能够有效防止电路因过载或短路而损坏。 6. 汽车电子： 汽车电子系统中，如车载充电器、灯光控制系统、电动助力转向系统等，2SAR514PT100 的高可靠性和抗干扰能力使其成为理想选择。 总的来说，2SAR514PT100 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和功率放大的电路中，特别适合对耐压和效率有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP DVR 80V MPT3两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 0.7A 4PIN MPT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SAR514PT100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SAR514PT100 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 15mA， 300mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 100mA，3V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 380 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 0.7 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 频率-跃迁 | 380MHz |
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