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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 50V 0.1A两极晶体管 - BJT 100mA -50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1972742&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA2154CT-GR(TPL3)- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SA2154CT-GR(TPL3)2SA2154CT-GR(TPL3) |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | CST3 |
其它名称 | 2SA2154CT-GR(TPL3)DKR |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
封装/箱体 | FSM-3 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 50 mW |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
集电极连续电流 | - 100 mA |
频率-跃迁 | 80MHz |