ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SA2013-TD-E
Datasheet下载- 型号： 2SA2013-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2013-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2013-TD-E价格参考￥1.55-￥2.85。ON Semiconductor2SA2013-TD-E封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 4A 400MHz 3.5W 表面贴装 PCP。您可以下载2SA2013-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA2013-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA2013-TD-E 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型，广泛应用于各种电子电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 音频放大器 - 2SA2013-TD-E 可用于设计音频功率放大器，作为驱动级或输出级的一部分。其高增益和良好的电流承载能力使其适合处理音频信号的放大任务。 - 应用实例：家庭音响系统、耳机放大器、便携式音频设备。 2. 开关电路 - 在需要高速开关的场景中，该晶体管可以充当电子开关。例如，在继电器驱动、LED 控制或电机启动电路中，通过控制基极电流实现负载的通断。 - 应用实例：工业控制设备、家用电器中的定时器和传感器接口。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于线性稳压器或 DC-DC 转换器中的调节元件，帮助稳定输出电压或电流。 - 应用实例：电池充电器、小型电源适配器。 4. 信号放大与处理 - 在低频或中频信号放大的场合，2SA2013-TD-E 可以提供稳定的增益性能。它适用于仪器仪表、通信设备和其他需要精确信号放大的应用。 - 应用实例：无线麦克风接收器、测试测量设备。 5. 汽车电子 - 在汽车领域，该晶体管可用于车灯控制、风扇调速、雨刷电机驱动等简单但可靠的功能模块。 - 应用实例：车载娱乐系统、车内环境控制系统。 6. 温度补偿电路 - 利用 BJT 的温度特性，2SA2013-TD-E 可参与设计温度补偿电路，确保某些关键参数在不同工作条件下保持稳定。 - 应用实例：精密传感器、热电偶放大器。 总结 2SA2013-TD-E 凭借其出色的电气特性和可靠性，适用于多种工业、消费类及汽车电子领域。具体选择时需结合实际需求考虑其最大集电极电流（Ic）、集电极-发射极击穿电压（Vceo）以及直流电流增益（hFE）等参数是否满足目标应用的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 4A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 4A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA2013-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA2013-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 340mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 360 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 3.5 W |
| 最大直流电集电极电流 | - 7 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SA2013 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 200 mV |
| 集电极连续电流 | - 4 A |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
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