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Datasheet下载- 型号： 2SA1955FVBTPL3Z
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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2SA1955FVBTPL3Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1955FVBTPL3Z由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1955FVBTPL3Z价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1955FVBTPL3Z封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 12V 400mA 130MHz 100mW 表面贴装 VESM。您可以下载2SA1955FVBTPL3Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1955FVBTPL3Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SA1955FVBTPL3Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | 2SA1955FVBTPL3ZDKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 400mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
