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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SA1955FVATPL3Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,200mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
供应商器件封装 | CST3 |
其它名称 | 2SA1955FVATPL3ZCT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 400mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
频率-跃迁 | 130MHz |