ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SA1943N(S1,E,S)
.jpg)
Datasheet下载- 型号： 2SA1943N(S1,E,S)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1943N(S1,E,S)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1943N(S1,E,S)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1943N(S1,E,S)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 230V 15A 30MHz 150W 通孔 TO-3P（N）。您可以下载2SA1943N(S1,E,S)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1943N(S1,E,S) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP TO-3PN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1943N |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SA1943N(S1,E,S) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 800mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 1A，5V |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | 2SA1943N(S1ES) |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 230V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 5µA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
