ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SA1930(Q,M)
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Datasheet下载- 型号： 2SA1930(Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1930(Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1930(Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1930(Q,M)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 180V 2A 200MHz 2W 通孔 TO-220NIS。您可以下载2SA1930(Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1930(Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 180V 2A TO220NIS两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1930 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1930(Q,M)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1930(Q,M)2SA1930(Q,M) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
| 其它名称 | 2SA1930(Q,M)-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 25W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 180V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 180 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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