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  • 型号: 2SA1812T100Q
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1812T100Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1812T100Q价格参考。ROHM Semiconductor2SA1812T100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1812T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1812T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 400V 0.5A SOT-89两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SA1812T100Q-

数据手册

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产品型号

2SA1812T100Q

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 50mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

MPT3

其它名称

2SA1812T100QDKR

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 7 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

12 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

MPT-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 1 A

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

270

直流集电极/BaseGainhfeMin

82

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 400 V

集电极—基极电压VCBO

- 400 V

集电极连续电流

- 0.5 A

频率-跃迁

12MHz

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