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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1586-GR,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1586-GR,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1586-GR,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1586-GR,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1586-GR,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)生产的2SA1586-GR,LF 是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 音频放大器 - 2SA1586-GR,LF 常用于音频信号放大电路中,特别是在功率放大器的驱动级或输出级。其高增益和良好的频率特性使其适合处理音频信号,能够提供清晰、稳定的音质。 2. 开关电路 - 在需要快速切换的电路中,这款晶体管可以用作开关元件。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等应用中,它可以实现高效的开关功能。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于直流-直流转换器或线性稳压器中的电流调节和电压控制。它能够在一定范围内稳定输出电压或电流,确保设备正常运行。 4. 射频(RF)和通信设备 - 由于其良好的高频性能,2SA1586-GR,LF 可应用于低功率射频放大器或调制解调器中,支持无线通信设备的信号传输和处理。 5. 工业自动化 - 在工业控制领域,这款晶体管可用于传感器信号放大、执行器驱动或其他需要精确电流控制的场景,例如温度控制器、压力传感器等。 6. 消费电子产品 - 它广泛应用于家用电器中,如音响设备、电视机、游戏机等,作为信号放大或电源管理的关键组件。 特点总结: - 高增益:适用于需要高放大倍数的场景。 - 宽工作电压范围:适合多种供电环境。 - 低噪声:在音频和射频应用中表现优异。 - 可靠性和稳定性:适合长时间运行的设备。 总之,2SA1586-GR,LF 是一款通用性强的双极型晶体管,适用于各种需要信号放大、电流控制或开关功能的电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 50V 0.15A USM两极晶体管 - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371801&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1586-GR,LF- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1586 |
产品型号 | 2SA1586-GR,LF2SA1586-GR,LF |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | USM |
其它名称 | 2SA1586-GRLFCT |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Toshiba |
增益带宽产品fT | 80 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 100 mW |
最大工作温度 | + 125 C |
最大直流电集电极电流 | 150 mA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 400 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
频率-跃迁 | 80MHz |