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  • 型号: 2SA1418S-TD-E
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1418S-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1418S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SA1418S-TD-E封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 160V 700mA 120MHz 500mW 表面贴装 PCP。您可以下载2SA1418S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1418S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SA1418S-TD-E 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管 (BJT),具体应用场景如下:

 1. 音频放大器
   2SA1418S-TD-E 可用于音频放大电路中,特别是在低频和中频段的音频信号放大。其高增益和低噪声特性使其适合用于前置放大器或功率放大器中的驱动级。它能够提供稳定的输出信号,确保音频质量清晰、无失真。

 2. 开关电源
   在开关电源(SMPS)设计中,2SA1418S-TD-E 可以用作驱动晶体管,帮助控制开关频率和电流。它的快速开关特性和低饱和电压使其能够在高频条件下高效工作,减少能量损耗,提高电源转换效率。

 3. 电机驱动
   该晶体管可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过控制基极电流,它可以有效地调节电机的转速和扭矩。其较高的集电极-发射极击穿电压(Vceo)使其能够在较高的电压环境下稳定工作,适用于需要较高电压驱动的应用场景。

 4. 传感器信号放大
   在传感器应用中,2SA1418S-TD-E 可用于放大微弱的传感器信号。例如,在温度传感器、压力传感器等模拟信号采集系统中,它可以帮助将微弱的电信号放大到适合后续处理的水平,同时保持较低的噪声干扰。

 5. 工业自动化
   在工业自动化控制系统中,2SA1418S-TD-E 可以作为信号传输和控制的关键元件。它能够承受较大的电流波动,并且在高温环境下仍能保持稳定的性能,适用于工厂自动化、机器人控制等领域。

 6. 通信设备
   在一些通信设备中,如无线收发模块、调制解调器等,2SA1418S-TD-E 可用于信号的放大和调制。其宽频带特性和良好的线性度使其适合用于射频(RF)电路中,确保信号的准确传输和接收。

 总结
2SA1418S-TD-E 凭借其出色的电气特性,广泛应用于音频放大、开关电源、电机驱动、传感器信号放大、工业自动化以及通信设备等领域。它具有高增益、低噪声、快速开关等特点,适用于需要高效、稳定工作的电子电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP BIPO 0.7A 160V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SA1418S-TD-E-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

2SA1418S-TD-E

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 25mA,250mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PCP

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 6 V, 6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

PCP

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1.3 W

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

700mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

400

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

2SA1418

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 160 V, 160 V

集电极—基极电压VCBO

- 180 V, 180 V

集电极—射极饱和电压

- 0.2 V, 0.12 V

集电极连续电流

- 0.7 A, 0.7 A

频率-跃迁

120MHz

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