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  • 型号: 2SA1201-Y(TE12L,CF
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1201-Y(TE12L,CF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1201-Y(TE12L,CF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1201-Y(TE12L,CF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA1201-Y(TE12L,CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA1201-Y(TE12L,CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 120V 0.8A SC-62两极晶体管 - BJT Pwr Trans HiSpd PNP -0.8A 1W -120V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1201

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1201-Y(TE12L,CF-

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数据手册

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产品型号

2SA1201-Y(TE12L,CF2SA1201-Y(TE12L,CF

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 100mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PW-MINI

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SC-62

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 800 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

120V

电流-集电极(Ic)(最大值)

800mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

240

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 120 V

集电极—基极电压VCBO

- 120 V

集电极—射极饱和电压

- 1 V

集电极连续电流

- 0.1 uA

频率-跃迁

120MHz

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